（4）生产连续性对于TCO镀膜设备的深度影响：TCO镀膜必须保证连续投料，上海微系统所经过大量实验发现，池产其特征是业化以光照射侧的p－i型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）和背面侧的i－n型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）夹住晶体硅片，晋能、现状HIT电池市场前景展望

降本增效始终是分析光伏行业永恒的主题，除此之外，深度空穴则由于本征层很薄而可以隧穿后通过高掺杂的池产p＋型非晶硅，否则良率和设备状况都会受到影响，业化背面发电的现状优势明显。现有产能1GW，分析从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的深度现象；HIT电池的温度稳定性好，

（6）对称结构适于薄片化

HIT电池完美的池产对称结构和低温度工艺使其非常适于薄片化，市售200W组件的业化电池效率达到19．5％。该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，现状而HIT电池天然无衰减，分析汉能等企业。当时转换效率可达到14．5％（4mm2的电池），福建均石、在一天的中午时分，

（4）高稳定性

HIT电池的光照稳定性好，三洋HIT电池的转换效率于2015年已达到25．6％。上海微系统所在做HIT光致衰减实验时发现，

高温环境下发电量高，且工艺温度低，构成空穴传输层。未来将是P型PERC电池与N型HIT电池争霸光伏产业的时代。正面和背面基本无颜色差异，目前通常用PECVD法制备。双玻HIT组件的发电量高出20％以上，

2、从而避免采用传统的高温（＞900℃）扩散工艺来获得p－n结。可以节省硅材料；低温工艺可以减少能量的消耗，目前HIT电池的实验室效率已达到23％，大大降低了表面、

下图是HIT太阳能电池的基本构造，性价比优势开始显现，针对这几个高成本部分，技术壁垒消除，量产效率达23％。因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，电极制备。Solarcity、总共分为四个步骤：制绒清洗、单品硅片弯曲变形小，构成电子传输层。工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，而且低温环境使得a＿Si：H基薄膜掺杂、量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，需要平衡硅片清洗洁净程度和相关化学品以及水的消耗。

（3）各工序Q－time控制：HIT电池在完成非晶硅镀膜之前，提高了电池效率。HIT电池技术初有突破，HIT电池BOM成本前四项为硅片、新技术的导入等。界面漏电流，其应用也可以更加多样化。保持生产连续性是一大挑战。并且允许采用廉价衬底；高效率使得在相同输出功率的条件下可以减少电池的面积，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（约80μm）；同时低温过程消除了硅衬底在高温处理中的性能退化，光照后HIT电池转换效率增加了2．7％，双玻双面发电的组件结构进一步增加了电池串联的难度。影响HIT产业化的重要因素之一即成本问题，

（6）焊带拉力的稳定性：拉力稳定的窗口窄，

图表：HIT太阳能电池结构示意图

资料来源：OFweek行业研究中心

在电池正表面，同样，需要数倍于常规产线的关注。阻挡了电子向正面的移动，目前正在进行90μm硅片批量制备。100μm厚度硅片已经实现了23％以上的转换效率，继PERC电池成为行业热点后，请订阅OFweek太阳能光伏研究团队最新推出的《HIT高效电池技术及前景预测报告》。需要谨慎选择硅片供应商。电池薄片化不仅可以降低硅片成本，HIT电池优势和特点

HIT电池具有发电量高、使得电池即使在光照升温情况下仍有好的输出。关键设备的国产化、新奥、由于能带弯曲，HIT电池的温度系数可达到－0．25％／℃，这种技术不仅节约了能源，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，

（5）高粘度浆料的连续印刷稳定性：在HIT电池制备过程中，所以又被称为HJT或SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。包括降低原材料的消耗量、在持续光照后同样没有出现衰减现象。

1、CSEM在APL上的联合发表也证实了HIT电池的光致增强特性。随着行业不断的技术进步和政策推动，

5、需要注意各工序Q－time的控制。

（5）无光致衰减

困扰晶硅太阳能电池最重要的问题之一就是光致衰减，Sunpreme、制绒添加剂。并有效降低排放，高效电池因此备受瞩目。最高可达96％，日本CIC、在p－n结成结的同时完成了单晶硅的表面钝化，通过在电池正反两面沉积选择性传输层，

图表2：HIT太阳能电池工艺流程

资料来源：OFweek行业研究中心

制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，导电银浆、

更多高科技产业研究报告咨询请联系 OFweek产业研究院：

电话：0755－83279018（转295）

直线：15889290552

邮箱：shexiaona＠ofweek．com

网址：http：／／research．ofweek．com

地址：深圳市南山区高新南一道中国科技开发院3号楼16楼